Ученые ННГУ запатентовали технологию очистки диоксида кремния для микроэлектроники
Ученые научно-исследовательской лаборатории инженерной химии Национального исследовательского института химии Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. Технология предназначена для микроэлектроники и позволяет контролировать характеристики частиц, важные при производстве микросхем.
Разработка создавалась с 2024 года в рамках стратегического проекта «Новые материалы для микроэлектроники» федеральной программы «Приоритет-2030». В октябре 2026 года проект перешел на этап опытно-технологической отработки: исследователи завершили основную часть работ по подбору состава и условий синтеза и сосредоточились на проверке стабильности процесса при масштабировании.
Материал для полировки полупроводниковых пластин
Запатентованный метод относится к очистке аморфного диоксида кремния. Получаемый материал может применяться в химико-механической полировке полупроводниковых пластин, а также в других процессах, где необходимы высокочистые абразивные наноматериалы.
Технология позволяет получать частицы с заданными размером и формой, высокой однородностью и стабильностью. Одновременно снижается содержание примесей. Эти параметры напрямую влияют на качество обработки пластин, а значит, на надежность и производительность электронных устройств.
На базе разработки специалисты ННГУ имени Н. И. Лобачевского создали технологическую линию и регламент получения продукта. Исследователи также разработали полировальную суспензию с устойчивыми характеристиками. Сейчас материал направлен индустриальному партнеру для апробации.
Переход от лаборатории к внедрению
По словам руководителя исследования, кандидата химических наук и научного сотрудника лаборатории Ксении Отвагиной, ключевая задача текущего этапа заключается в подтверждении воспроизводимости технологии при увеличении масштабов производства и проведении совместных испытаний с индустрией.
Разработка создается на фоне ограничений поставок и потребности в отечественных аналогах материалов для микроэлектроники. Появление продукта с контролируемыми характеристиками должно помочь снизить зависимость отрасли от зарубежных поставщиков.
Ректор ННГУ Олег Трофимов отметил, что формирование собственной компонентной базы остается одной из приоритетных задач российской микроэлектроники. По его словам, проект показывает, как университетская разработка проходит путь от фундаментальных исследований к технологической линии и последующим испытаниям, а успешное масштабирование может стать основой для серийного внедрения.
Университет Лобачевского основан в 1916 году. В 2026 году в нем обучается около 30 тысяч студентов из 97 стран. В состав вуза входят 18 факультетов и институтов, четыре научно-исследовательских института, суперкомпьютерный центр, центр нанотехнологий и инновационно-технологический центр.
